特許

J-GLOBAL ID：200903017541917832

半導体装置

発明者： 河野 敏弘 ,  辻 伸二 ,  鈴木 良治 ,  茅根 直樹
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所 ,  日立電線株式会社
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-287568
公開番号（公開出願番号）：特開平5-129714
出願日： 1991年11月01日
公開日（公表日）： 1993年05月25日
要約：

【要約】【目的】埋込構造半導体レーザに関し、低閾値および高効率のレーザ素子を提供する。【構成】半導体基板1の上の活性層3を含む多層構造を積層しメサストライプを形成した後、ストライプ側面を電流ブロック層により埋め込む構造において、電流ブロック層構造をTiドープ層5とFeドープ層6の交互埋込或いはn形半導体層とFeドープ層6の交互埋込により形成する。【効果】活性領域以外への電子および正孔の注入をより効果的に阻止でき、無効電流を低減できるため素子の低閾値化および高効率化が図れる。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に形成された半導体多層膜の少なくとも一部がメサ状に加工され、前記メサ部側面が半導体層により埋込まれた半導体装置において、前記半導体埋込層が異なる二種類の不純物元素を交互に添加した半導体多層膜により構成されており、前記不純物元素が高抵抗層を形成する遷移金属であり、電子を捕獲する深い不純物準位を形成する遷移金属と正孔を捕獲する深い不純物準位を形成する遷移金属からなることを特徴とする半導体装置。