特許

J-GLOBAL ID：200903017543098790

磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド

発明者： 神田 英一
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 磯野 道造
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-214978
公開番号（公開出願番号）：特開平6-060335
出願日： 1992年08月12日
公開日（公表日）： 1994年03月04日
要約：

【要約】【目的】磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドに関し、磁気抵抗効果素子の放熱を効果的に行うことである。【構成】磁気抵抗効果素子1の一部1bが、ヘッド浮上面1cと反対の面の引き出し導体2a,2b間に絶縁されて配置され、また、その一部1bに高熱伝導率の物質3が接合され、また、その一部1bにペルチェ効果が大である異種の金属膜または半導体膜4,4′の接合部4aが連接され、また、この異種の金属膜または半導体膜4,4′への電流の供給を、磁気抵抗効果素子1へセンス電流を供給する引き出し導体2a,2bと共有するようにしたものである。

請求項（抜粋）：

磁気抵抗効果素子(1)の一部(1b)が、ヘッド浮上面(1c)と反対の面の引き出し導体(2a,2b)間に絶縁されて配置されていることを特徴とする磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド。