特許

J-GLOBAL ID：200903017543639899

有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法

発明者： 中村 明史
出願人/特許権者： 日本ビクター株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-058622
公開番号（公開出願番号）：特開2001-250682
出願日： 2000年03月03日
公開日（公表日）： 2001年09月14日
要約：

【要約】【課題】 有機エレクトロルミネッセンス素子で発生する発光むらやダークスポット(非発光部分)を無くす。【解決手段】 ガラス基板2上に第1電極(透明電極)3,有機エレクトロルミネッセンス薄膜4,第2電極5を少なくとも成膜した有機エレクトロルミネッセンス素子1Bを、前記有機エレクトロルミネッセンス薄膜4の結晶化温度より低い温度で加熱処理を行う。

請求項（抜粋）：

基板上に第1電極,有機エレクトロルミネッセンス薄膜,第2電極を少なくとも成膜した有機エレクトロルミネッセンス素子を、前記有機エレクトロルミネッセンス薄膜の結晶化温度より低い温度で加熱処理を行うことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。

IPC (5件)：

H05B 33/10 ,  C23C 14/58 ,  H05B 33/14 ,  C23C 14/08 ,  C23C 14/26

FI (5件)：

H05B 33/10 ,  C23C 14/58 A ,  H05B 33/14 A ,  C23C 14/08 K ,  C23C 14/26 A

Fターム (13件)：

3K007AB06 ,  3K007AB18 ,  3K007CA01 ,  3K007CB01 ,  3K007DA01 ,  3K007DB03 ,  3K007EB00 ,  3K007FA01 ,  3K007FA03 ,  4K029AA09 ,  4K029BA50 ,  4K029DB18 ,  4K029GA01