クリーニング方法及び装置並びにエッチング方法及び装置

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-066777
公開番号（公開出願番号）：特開2001-267241
出願日： 2000年03月10日
公開日（公表日）： 2001年09月28日
要約：

【要約】【課題】半導体処理システムにおけるクリーニング方法及び装置並びにエッチング方法及び装置の安全性、コスト、柔軟性等を改良する。【解決手段】シリコンのCVD装置10の処理室12にクリーニング装置30が接続される。クリーニング装置30は第1、第2、及び第3ガス源32、34、36を有し、これ等から、塩素ガス、フッ素ガス、及び不活性ガスが、夫々MFC38a、38b、38cを通して、流量が互いに独立して制御された状態で導入される。これ等のガスは、配管部42で合流して混合され、混合ガスが形成される。混合ガスは、加熱反応器44例えば熱交換器に通され、塩素ガスとフッ素ガスとの反応によりClF3 ガス等の弗化塩素ガスを含む生成ガスが生成される。生成ガスは、冷却器46、分析器48、バッファ部54を通して、処理室12内に供給される。

請求項（抜粋）：

半導体処理システムの処理室内に堆積した、Si、Mo、Ta、W、SiOx、SiNx、SiC、SiGe、TaSix、TaOx、WSix、TiC、TiN、TiW、BN、ITOからなる群から選択された物質を含有する副生成物を除去するクリーニング方法であって、第1及び第2ガス源から夫々独立してフッ素以外の第1ハロゲンガスとフッ素ガスとを導入すると共に、第3ガス源から選択的に不活性ガスを導入し、これ等のガスを混合して混合ガスを形成する工程と、前記混合ガスを加熱反応器に通して前記第1ハロゲンガスと前記フッ素ガスとが反応する温度に加熱することにより、ハロゲン間フッ素化合物ガスを含む生成ガスを生成しながら、前記生成ガスを前記処理室内に供給する工程と、を具備することを特徴とするクリーニング方法。

IPC (4件)：

H01L 21/205 , C23C 16/44 , H01L 21/3065 , H01L 21/304 645

FI (4件)：

H01L 21/205 , C23C 16/44 J , H01L 21/304 645 Z , H01L 21/302 F

Fターム (26件)：

4K030DA06 , 5F004AA15 , 5F004BC08 , 5F004BD04 , 5F004CA01 , 5F004CA02 , 5F004DA00 , 5F004DA04 , 5F004DA22 , 5F004DB00 , 5F004DB01 , 5F004DB08 , 5F004DB10 , 5F004DB12 , 5F004DB15 , 5F004DB17 , 5F045AB02 , 5F045AC01 , 5F045AC02 , 5F045BB20 , 5F045EB06 , 5F045EE04 , 5F045EE05 , 5F045EE11 , 5F045EE13 , 5F045EE14

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