モノリシックマイクロウエーブ半導体集積回路

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：山本孝久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-016795
公開番号（公開出願番号）：特開平6-204757
出願日： 1993年01月08日
公開日（公表日）： 1994年07月22日
要約：

【要約】【目的】バイアスの安定性が高く、バイパスコンデンサを不要とすることができ、しかも歪み発生が少ない、自己バイアス回路を備えたモノリシックマイクロウエーブ半導体集積回路(MMIC)を提供する。【構成】MMICは、エンハンスメントモードの化合物半導体電界効果型トランジスタから成るバイアス制御用トランジスタFET1、及びエンハンスメントモードの化合物半導体電界効果型トランジスタから成る被バイアストランジスタFET2から構成されたカレントミラー方式のバイアス安定回路を備えている。

請求項（抜粋）：

エンハンスメントモードの化合物半導体電界効果型トランジスタから成るバイアス制御用トランジスタ、及びエンハンスメントモードの化合物半導体電界効果型トランジスタから成る被バイアストランジスタから構成されたカレントミラー方式のバイアス安定回路を備えていることを特徴とするモノリシックマイクロウエーブ半導体集積回路。

IPC (2件)：

H03F 1/30 , H01L 27/06

引用特許：

出願人引用 (3件)

特開平4-101503
特開昭62-011310
特開平4-160511

審査官引用 (3件)

特開平4-101503
特開昭62-011310
特開平4-160511

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