高容量キャパシタの製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：服部雅紀
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-311822
公開番号（公開出願番号）：特開平8-222713
出願日： 1995年11月30日
公開日（公表日）： 1996年08月30日
要約：

【要約】【課題】高容量キャパシタの製造方法を提供する。【解決手段】スタック構造の下部ストレージノード38aの表面に第1HSG膜40および第2HSG膜48が形成されている高容量キャパシタを製造する方法において、ストレージノード38aの上部に位置する第1HSG膜40を保護する絶縁膜を形成する段階を含む。これにより、下部ストレージノード38aの上部に形成された第1HSG膜40を絶縁膜で保護することで、下部ストレージノード38a自体およびその上部に形成された第1HSG膜40は下部ストレージノード38aの周りに形成されたHSG膜をエッチバックする段階で損傷を受けない。従って、キャパシタの容量の減少が防げる。

請求項（抜粋）：

半導体基板の全面にコンタクトホールを含む第1絶縁膜を形成する段階と、前記第1絶縁膜の全面に前記コンタクトホールを埋め立てる第1導電層を形成する段階と、前記第1導電層の全面に第1半球形グレン膜を形成する段階と、前記第1半球形グレン膜の全面に第2絶縁膜および第3絶縁膜を順次的に形成する段階と、前記第2絶縁膜および前記第3絶縁膜をパタニングした後、パタニングされた前記第3絶縁膜と前記第2絶縁膜とを蝕刻マスクとして前記第1半球形グレン膜と前記第1導電層とを蝕刻して前記第1導電層と前記第1半球形グレン膜とよりなる下部ストレージノードを形成する段階と、前記下部ストレージノードの形成段階で得られた結果物上に第2半球形グレン膜を形成する段階と、前記下部ストレージノードの周りに形成されている前記第2半球形グレン膜を取り除く段階と、前記第1絶縁膜の全面の一部厚さと前記第2絶縁膜とを取り除く段階と、を含むことを特徴とするキャパシタの製造方法。

IPC (4件)：

H01L 27/108 , H01L 21/8242 , H01L 27/04 , H01L 21/822

FI (3件)：

H01L 27/10 621 Z , H01L 27/04 C , H01L 27/10 621 B

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