強誘電性を持つ構造体

発明者： , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：森哲也 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-076752
公開番号（公開出願番号）：特開2000-277704
出願日： 1999年03月19日
公開日（公表日）： 2000年10月06日
要約：

【要約】【課題】単位面積当たりのメモリ容量が著しく大きな強誘電体メモリを得る。【解決手段】特殊な構造の絶縁性部材1を、多数の強誘電体コンデンサの絶縁層部分の集合体として設ける。絶縁性部材1は、強誘電性の金属酸化物からなる多数の針状体42と、絶縁性材料6とからなる。多数の針状体42は並列に配置されていて、その隙間に絶縁性材料6が埋められている。針状体42を、一本毎または複数本毎に、一つの強誘電体コンデンサの絶縁層部分とする。

請求項（抜粋）：

強誘電性の金属酸化物からなる多数の針状体が隙間を開けて並列に配置されている構造の強誘電体を有することを特徴とする強誘電体メモリ。

IPC (11件)：

H01L 27/10 451 , C30B 29/62 , H01G 4/33 , H01G 4/12 391 , H01L 21/31 , H01L 21/316 , H01L 27/04 , H01L 21/822 , H01L 21/8247 , H01L 29/788 , H01L 29/792

FI (8件)：

H01L 27/10 451 , C30B 29/62 F , H01G 4/12 391 , H01L 21/31 B , H01L 21/316 X , H01G 4/06 101 , H01L 27/04 C , H01L 29/78 371

Fターム (78件)：

4G077AA04 , 4G077BC42 , 4G077BC43 , 4G077DB05 , 4G077DB08 , 4G077HA11 , 5E001AB06 , 5E001AC09 , 5E001AD00 , 5E001AE00 , 5E001AE01 , 5E001AE02 , 5E001AE03 , 5E001AH00 , 5E001AH01 , 5E001AH03 , 5E001AJ02 , 5E001AZ00 , 5E082AB03 , 5E082BB10 , 5E082BC40 , 5E082EE05 , 5E082EE23 , 5E082EE37 , 5E082FF14 , 5E082FG04 , 5E082FG26 , 5E082FG27 , 5E082FG39 , 5E082FG41 , 5E082FG46 , 5E082GG04 , 5E082KK01 , 5E082MM24 , 5F001AA17 , 5F001AD12 , 5F001AG26 , 5F038AC05 , 5F038AC10 , 5F038AC15 , 5F038AC18 , 5F038DF05 , 5F038EZ14 , 5F045AB39 , 5F045AB40 , 5F045AC11 , 5F045AC15 , 5F045AC16 , 5F045AC17 , 5F045AD09 , 5F045AE25 , 5F045AF03 , 5F045AF04 , 5F045AF07 , 5F045AF09 , 5F045AF13 , 5F045EB02 , 5F045EC09 , 5F045EE07 , 5F045EE10 , 5F045EE12 , 5F045EF05 , 5F058BA11 , 5F058BB01 , 5F058BB05 , 5F058BB06 , 5F058BB07 , 5F058BC03 , 5F058BC20 , 5F058BF03 , 5F058BF27 , 5F058BF29 , 5F083FR02 , 5F083JA13 , 5F083JA14 , 5F083JA15 , 5F083JA39 , 5F083PR25

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