特許

J-GLOBAL ID：200903017559459475

事実上有機材料から成る電界効果トランジスタを製造する方法

発明者： ミュートセルス コルネリス マルクス ヨハネス ,  デ レーウ ダホベルト ミヘル ,  ドゥリューリー クリストファー ジョン
出願人/特許権者： コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ
代理人 (1件)： 杉村 暁秀 (外2名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-514099
公開番号（公開出願番号）：特表2001-505002
出願日： 1998年07月27日
公開日（公表日）： 2001年04月10日
要約：

【要約】有機電界効果トランジスタを製造する実際的な方法が開示されている。実質的に平坦な電極層へ3.0μm又はそれ以下の厚さを有する絶縁層を貼付することにより、2μmまでのチャネル長さを有し、10Vより充分低い電圧で電圧増幅に対する条件を満たし、且つ約25のオン/オフ比を有する有機電界効果トランジスタが作られ得る。

請求項（抜粋）：

基板表面上に事実上半導体材料から成る電界効果トランジスタを製造する方 法であって、前記の方法は、 -電気絶縁性基板表面を設けるステップ、 -ソース及びドレイン電極を収容し且つ電気絶縁性範囲と導電性範囲とのパッ チワークパターンを表示する有機第1電極層を貼付するステップ、 -有機半導電性層を貼付するステップ、 -0.3μmより薄い厚さを有する有機電気絶縁性層を貼付するステップ、 -ゲート電極を収容する有機第2電極層を貼付するステップ、 を具えていることを特徴とする事実上半導体材料から成る電界効果トランジス タを製造する方法。

IPC (2件)：

H01L 29/786 ,  H01L 51/00

FI (5件)：

H01L 29/78 618 B ,  H01L 29/78 617 T ,  H01L 29/78 616 V ,  H01L 29/78 617 M ,  H01L 29/28

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 有機電界効果型素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-205286   出願人：株式会社東芝