特許

J-GLOBAL ID：200903017562571120

表面に電界が生成される半導体装置

発明者： ウイリアム・アメリカ
出願人/特許権者： ヒユーズ・エアクラフト・カンパニー
代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-062581
公開番号（公開出願番号）：特開平5-102452
出願日： 1992年03月18日
公開日（公表日）： 1993年04月23日
要約：

【要約】【目的】 本発明は、装置の表面に配置された注入イオンによって発達された電界を有する半導体装置を提供することを目的とする。【構成】 半導体材料の本体18と、本体の表面付近で最大濃度を有し電界が表面近くに生成される注入されたドーパントイオンの領域20とを具備していることを特徴とする。このような構造はドーパントイオンの注入後表面領域をエッチングで除去することによって得られる。

請求項（抜粋）：

半導体材料の本体と、本体の表面付近で最大濃度を有し、それによって電界が前記表面近くに生成される注入されたドーパントイオンの領域とを具備している半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 27/146 ,  G01J 1/02

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特公昭51-047035
  
• 特開昭62-195180