特許
J-GLOBAL ID:200903017571843086
光学的微細プローベ及び材料のスペクトル分析方法
発明者:
,
,
出願人/特許権者:
代理人 (5件):
社本 一夫
, 今井 庄亮
, 増井 忠弐
, 栗田 忠彦
, 小林 泰
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2005-345332
公開番号(公開出願番号):特開2006-138860
出願日: 2005年11月30日
公開日(公表日): 2006年06月01日
要約:
【課題】小さい容積素子に観察される応答を空間的に限定して標本を分析する方法および装置を提供する。【解決手段】放射を発生する放射部12と、第1の光制限部14と、指向(対物)光学系16と(これらは集合的に照射光学系という)を含み、光制限部を通過して形成されたビームが試料18を照射する。収集光学系20は照射された試料18からの放射を収集し検出し、これが第2の光制限部22を通る。制限部26を含み、照射および収集光学系またはその一部に連結されて、照射が指向される位置を調節し、選択された容積素子からの応答を収集する。【選択図】図1
請求項(抜粋):
特定の材料標本の特性Pを電磁放射と前記標本との相互作用により決定する方法において、
IPC (4件):
G01N 21/27
, G01N 21/64
, A61B 1/00
, A61B 10/00
FI (5件):
G01N21/27 B
, G01N21/27 E
, G01N21/64 Z
, A61B1/00 300D
, A61B10/00 E
Fターム (39件):
2G043AA03
, 2G043BA16
, 2G043EA01
, 2G043EA13
, 2G043EA14
, 2G043FA01
, 2G043FA02
, 2G043FA06
, 2G043HA01
, 2G043HA02
, 2G043HA05
, 2G043HA09
, 2G043HA11
, 2G043JA04
, 2G043JA05
, 2G043KA02
, 2G043KA03
, 2G043KA05
, 2G043KA09
, 2G043LA02
, 2G043LA03
, 2G043NA02
, 2G043NA06
, 2G059AA06
, 2G059BB12
, 2G059CC16
, 2G059EE01
, 2G059EE02
, 2G059EE06
, 2G059EE12
, 2G059GG01
, 2G059HH02
, 2G059JJ11
, 2G059JJ17
, 2G059KK02
, 2G059KK07
, 4C061CC06
, 4C061QQ04
, 4C061WW17
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