特許
J-GLOBAL ID：200903017575457318
薄膜トランジスタの製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴木 喜三郎 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-039181
公開番号（公開出願番号）：特開平5-243577
出願日： 1992年01月27日
公開日（公表日）： 1993年09月21日
要約：
【要約】【目的】 本発明は、薄膜トランジスタのシリコン薄膜層上に酸素プラズマ処理により形成された酸化膜を配置することにより特性の優れたトランジスタを提供することを目的とする。【構成】 薄膜トランジスタのシリコン膜上に酸素プラズマ処理により形成された酸化膜を配置し、この酸化膜を清浄なMOS界面を得るために、ゲート絶縁膜または高耐圧の層間絶縁膜として用いる。
請求項（抜粋）：
基板上に形成された薄膜トランジスタのシリコン薄膜層上には、酸素プラズマにより形成された酸化膜が配置されることを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。
IPC (2件)：
H01L 29/784
, G02F 1/136 500
