特許

J-GLOBAL ID：200903017576508412

半導体装置

発明者： 早藤 紀生 ,  鈴木 大輔
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 曾我 道照 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-220806
公開番号（公開出願番号）：特開平9-064459
出願日： 1995年08月29日
公開日（公表日）： 1997年03月07日
要約：

【要約】【課題】 ドーパントの熱拡散を抑制した高品質の半導体装置を得る。【解決手段】 InP基板1に設けられて電流が狭窄するための電流狭窄手段を構成しているMQW吸収層7と電流阻止層2、3及び4とが設けられ、また、その電流狭窄手段上に設けられた、BeをドープしたInPクラッド層11と、InPクラッド層11上に設けられ、Zn及びBeをドープしたInGaAsコンタクト層12とを備えた半導体装置である。

請求項（抜粋）：

基板と、上記基板に設けられ、電流が狭窄するための電流狭窄手段と、上記電流狭窄手段上に設けられた、BeをドープしたInPクラッド層と、上記InPクラッド層上に設けられ、Zn及びBeをドープしたInGaAsコンタクト層と、を備えたことを特徴とする半導体装置。