特許
J-GLOBAL ID：200903017583354188
水素ガスの製造方法
発明者：
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
須田 正義
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-083494
公開番号（公開出願番号）：特開平11-278801
出願日： 1998年03月30日
公開日（公表日）： 1999年10月12日
要約：
【要約】【課題】 触媒が反応液に溶解して喪失することがなく、高い反応効率で容易に高圧の水素ガスを製造する。【解決手段】 水11に光反応性半導体粉末12を均一に分散した分散液を作る。この分散液を亜臨界状態又は超臨界状態にして光を照射して水を水素ガスと酸素ガスに分解する。水素ガスと酸素ガスに分解した亜臨界状態又は超臨界状態の半導体粉末12を含む水から酸素ガスを取除く。酸素ガスを取除いた亜臨界状態又は超臨界状態の残部の圧力又は温度のいずれか一方又は双方を低下させることにより高圧の水素ガスを取出す。
請求項（抜粋）：
水(11)に光反応性半導体粉末(12)を均一に分散した分散液を作る工程と、前記分散液を亜臨界状態又は超臨界状態にしかつ前記分散液に光を照射して前記水(11)を水素ガスと酸素ガスに分解する工程と、前記水素ガスと酸素ガスに分解した亜臨界状態又は超臨界状態の前記粉末(12)を含む水(11)から酸素ガスを取除く工程と、前記酸素ガスを取除いた亜臨界状態又は超臨界状態の残部の圧力又は温度のいずれか一方又は双方を低下させることにより高圧の水素ガスを取出す工程とを含む水素ガスの製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
前のページに戻る
