特許
J-GLOBAL ID：200903017585544197
ゲート誘電体中に窒素を制御導入するための製造方法
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
浅村 皓 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-360477
公開番号（公開出願番号）：特開平11-261067
出願日： 1998年12月18日
公開日（公表日）： 1999年09月24日
要約：
【要約】【課題】 半導体MOS装置の製造方法及びその装置であり、最初に、ゲート絶縁体層(3)が上に密着した半導体基体(1)を与える。【解決手段】 前記層の、前記基体とは反対側の表面領域に前記基体へドーパントを通過移動させない障壁として働くのに充分な窒化物を有する窒化物又はオキシ窒化物のいずれかの領域(5)を形成する。次に前記領域の上にドープしたポリシリコンゲート又は金属ゲート(7)を形成する。基体に密接した絶縁体層中の窒化物の量は、作られた装置の特性を実質的に変化させるのには不充分である。基体は珪素であるのが好ましく、酸化物及び窒化物は珪素の酸化物及び窒化物であるのが好ましく、ドーパントは硼素を含むのが好ましい。窒化物又はオキシ窒化物のいずれかの領域を形成する工程は、ゲート絶縁体層表面の、基体とは反対側の表面中に中性窒素原子を注入する工程を含む。窒化物又はオキシ窒化物のいずれかの領域は、約1〜約2の単分子層からなる。
請求項（抜粋）：
半導体MOS装置の製造方法において、(a) ゲート絶縁体層が上に密着した半導体基体を与え、(b) 前記層の、前記基体とは反対側の表面領域に、前記基体へのドーパントの通過移動に対する障壁として働くのに充分な窒化物を有する窒化物又はオキシ窒化物のいずれかの領域を形成し、(c) 次に前記領域上に、ドープしたポリシリコンゲート又は金属ゲートのいずれかを形成する、該工程からなる、上記方法。
IPC (4件)：
H01L 29/78
, H01L 21/318
, H01L 29/786
, H01L 21/336
H01L 29/78 301 G
, H01L 21/318 C
, H01L 29/78 617 S
