特許
J-GLOBAL ID：200903017589726532
薄膜バルク音響共振器素子及びその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
三好 秀和
, 三好 保男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-185353
公開番号（公開出願番号）：特開2004-312657
出願日： 2003年06月27日
公開日（公表日）： 2004年11月04日
要約：
【課題】本発明は、FBAR(Film Bulk acoustic Resonator: FBAR)素子とその製造方法に関する。【解決手段】上面を有する基板構造物(30)、前記基板構造物(30)の上面に形成され金(Au)及びチタニウム(Ti)中いずれか一つの物質から成るシード層(39)、並びに、前記シード層(39)上に形成されモリブデン(Mo)から成る下部電極膜(42)と、前記下部電極膜(42)上に形成されアルミニウム窒化物(AlN)から成る圧電層(44)と、前記圧電層(44)上に形成され上部電極膜(46)とを有する少なくとも一つの音響共振部(40)を含むFBAR素子を提供する。また、本発明は、AuまたはTiシード層を用いたFBAR素子の製造方法を提供する。本発明によると、AuまたはTiシード層を形成した後、その上にMo下部電極膜を形成することによって電極膜特性(比抵抗)が向上し、滑らかな表面状態と丈夫な構造が得られるばかりでなく、Mo下部電極膜が(110)優先配向性を有する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
上面を有する基板構造物と、
前記基板構造物の上面に形成され金(Au)及びチタニウム(Ti)のうち、いずれか一つの物質から成るシード層と、
前記シード層上に形成されモリブデン(Mo)から成る下部電極膜と、前記下部電極膜上に形成されアルミニウム窒化物(AlN)から成る圧電層と、前記圧電層上に形成された上部電極膜とから成る少なくとも一つの音響共振部と、
を有することを特徴とする薄膜バルク音響共振器素子。
IPC (6件)：
H03H9/17
, H01L41/08
, H01L41/09
, H01L41/18
, H01L41/22
, H03H3/02
H03H9/17 F
, H03H3/02 B
, H01L41/08 L
, H01L41/18 101Z
, H01L41/22 Z
, H01L41/08 D
5J108AA00
, 5J108BB08
, 5J108CC11
, 5J108EE03
, 5J108EE04
, 5J108EE07
, 5J108FF03
, 5J108FF05
, 5J108KK02
, 5J108MM14
