特許

J-GLOBAL ID：200903017596464659

半導体回路及び半導体回路装置

発明者： 松本 博次
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 河野 登夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-204793
公開番号（公開出願番号）：特開平9-055470
出願日： 1995年08月10日
公開日（公表日）： 1997年02月25日
要約：

【要約】【課題】 低電圧で作動させるために閾値電圧を下げたMOSFETの待機時のリーク電流を削減できる半導体回路の提供。【解決手段】 MOSFETを備える半導体回路。MOSFET2,2へソース電位として与えるべき2つの異なる電位をそれぞれ固定する2つの電位固定手段6,Vssと、MOSFET2,2のソースを2つの電位固定手段6,Vssの何れかに切り換え接続するスイッチング手段4,5とを備える構成である。

請求項（抜粋）：

MOSFETを備える半導体回路において、前記MOSFETへソース電位として与えるべき2つの異なる電位をそれぞれ固定する2つの電位固定手段と、前記MOSFETのソースを該2つの電位固定手段の何れかに切り換え接続するスイッチング手段とを備えることを特徴とする半導体回路。

IPC (5件)：

H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 21/8238 ,  H01L 27/092 ,  H01L 29/78

FI (4件)：

H01L 27/04 B ,  H01L 27/04 M ,  H01L 27/08 321 D ,  H01L 29/78 301 J

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体集積回路
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-345901   出願人：株式会社日立製作所
• 特開昭53-015056