特許
J-GLOBAL ID：200903017599287766
プラズマ処理のための装置並びに方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (5件)：
鈴江 武彦
, 河野 哲
, 中村 誠
, 村松 貞男
, 橋本 良郎
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-525699
公開番号（公開出願番号）：特表2005-502198
出願日： 2002年08月29日
公開日（公表日）： 2005年01月20日
要約：
【解決手段】処理チャンバと、この処理チャンバ内に設けられた基板ホルダと、処理チャンバ中に、第1のガスと第2のガスを供給するガス噴射システムとを有するプラズマ加工システム。このシステムは、第1の期間に、第1のガスのフローが処理チャンバ内に連続的に流れ、第2のガスのフローがこの処理チャンバ中にパルス的に流れるよう、ガス噴射システムを制御するようなコントローラを有する。このコントローラは、第2の期間に、RFパワーを基板ホルダにパルス的に印加させる。このガス噴射システムを使用して第1のガスのフローを流すことによって発生される、処理チャンバ内のバックグラウンド圧力を調整する方法と、処理チャンバ内に処理プラズマを発生させる方法とを含んだ、プラズマ加工システムの動作方法が提供される。この方法は、第1の期間に、ガス噴射システムを使用して第2のガスのフローをパルス的に流し、第2の期間に、RFパワーを基板ホルダにパルス的に印加する。
請求項（抜粋）：
処理チャンバと、
この処理チャンバ内に設けられた基板ホルダと、
第1のガス並びに第2のガスを、この処理チャンバ中に供給するように構成されたガス噴射システムと、
第1の期間に、第1のガスのフローが、この処理チャンバ中に連続的に流れ、また、第2のガスのフローが、この処理チャンバ中にパルス的に流れるように、前記ガス噴射システムを制御するように構成されたコントローラとを具備し、このコントローラは、第2の期間に、RFパワーを前記基板ホルダにパルス的に印加するように構成されている、プラズマ処理システム。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (10件)：
5F004BA04
, 5F004BB11
, 5F004BC02
, 5F004BC03
, 5F004CA02
, 5F004CA03
, 5F004DA00
, 5F004DA23
, 5F004DA26
, 5F004DA30
