特許

J-GLOBAL ID：200903017599627931

化合物半導体単結晶の製造方法

発明者： 加納 学 ,  佐々木 慶悦 ,  田仲 孝憲 ,  大谷 聡一郎
出願人/特許権者： 日本鉱業株式会社
代理人 (1件)： 並川 啓志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-231137
公開番号（公開出願番号）：特開平5-051296
出願日： 1991年08月20日
公開日（公表日）： 1993年03月02日
要約：

【要約】 (修正有)【構成】LEC法により化合物半導体単結晶を育成する方法において、水分量100ppmw以下のB2O3を使用し、化合物半導体多結晶を溶融後の炉内雰囲気ガス中のCO濃度を一定の濃度に制御して所定時間以上放置した後、炉内雰囲気ガス中のCO濃度を引き続き同じく一定の濃度に制御しながら単結晶を育成する。【効果】炉内雰囲気ガス中のCO濃度のみによって、単結晶中の炭素濃度を任意の値にテ-ルまで均一に育成することができる。

請求項（抜粋）：

LEC法により化合物半導体単結晶を育成する方法において、水分量100ppmw以下の低水分量のB2O3を使用し、化合物半導体多結晶を溶融後の炉内雰囲気ガス中のCO濃度を一定の濃度に制御して所定時間以上放置した後、炉内雰囲気ガス中のCO濃度を同じく一定の濃度に制御しながら化合物半導体単結晶を育成することを特徴とする化合物半導体単結晶の製造方法。

IPC (2件)：

C30B 27/02 ,  C30B 15/00