特許
J-GLOBAL ID：200903017603035556

半導体装置およびその製造方法

発明者：
柴田 和孝

柴田 和孝 について

, 
西田 貞仁

西田 貞仁 について


出願人/特許権者：
ローム株式会社

ローム株式会社 について


代理人 (1件)： 杉谷 勉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-284080
公開番号（公開出願番号）：特開平8-125092
出願日： 1994年10月24日
公開日（公表日）： 1996年05月17日
要約：
【要約】【目的】 パッケージの熱抵抗が小さく、かつ耐熱性に優れてワイヤーボンディング性を低下させることのない半導体装置およびその製造方法を提供する。【構成】 半導体素子10をダイパッド11上に固着し、ダイパッド11の周辺に配置された複数本のリード端子12の先端部と半導体素子10とを金属細線13でそれぞれ接続し、半導体素子11および金属細線13等をパッケージ本体16内に封止し、パッケージ本体16からリード端子12の他端部を導出してなる半導体装置において、平面視でリード端子12の先端部と重なり合う大きさの放熱用金属板15を、リード端子12の先端部との間に小間隙を介在させて、ダイパッド11の下面に超音波により直接的に接合している。
請求項（抜粋）：
半導体素子をダイパッド上に固着し、前記ダイパッドの周辺に配置された複数本のリード端子の先端部と前記半導体素子とを金属細線でそれぞれ接続し、前記半導体素子および金属細線等をパッケージ本体内に封止し、前記パッケージ本体内からリード端子の他端部を導出してなる半導体装置において、平面視で前記リード端子の先端部と重なり合う大きさの放熱板を、前記リード端子の先端部との間に小間隙を介在させて、前記ダイパッドの下面に直接的に接合したことを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 23/50 ,  H01L 23/36
引用特許：
審査官引用 (2件)

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