特許

J-GLOBAL ID：200903017603490547

半導体装置

発明者： 飯塚 裕久 ,  ヘミンク ゲルトヤン ,  有留 誠一
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 則近 憲佑
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-034313
公開番号（公開出願番号）：特開平7-245340
出願日： 1994年03月04日
公開日（公表日）： 1995年09月19日
要約：

【要約】【構成】半導体基板中に溝を形成し、形成した溝の側壁に酸化膜を形成し、素子分離領域とする。さらに側壁に酸化膜を形成した溝には半導体層を埋め込み、半導体基板面と半導体層表面の2つの領域を素子領域とする。【効果】半導体装置の微小化、及び高集積化が可能となる。

請求項（抜粋）：

表面に複数の島状領域及び溝部が列状に形成された半導体基板と、前記複数の溝部の両側壁に形成された絶縁膜と、前記複数の溝部に埋め込み形成された半導体層と、前記半導体基板の島状領域及び前記半導体層の表面にそれぞれ形成された半導体素子とからなり、前記半導体素子は、前記絶縁膜により素子間分離されることを特徴とする半導体装置。

IPC (6件)：

H01L 21/76 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (3件)：

H01L 21/76 E ,  H01L 27/10 325 S ,  H01L 29/78 371

引用特許：

審査官引用 (6件)

• 特開平4-245455
  
• 特開昭56-058269
  
• 特開平1-199448
  
• 特開平4-245472
  
• 特開昭62-299061
  
• 不揮発性半導体記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-126002   出願人：株式会社東芝