半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴木喜三郎 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-167840
公開番号（公開出願番号）：特開平6-013348
出願日： 1992年06月25日
公開日（公表日）： 1994年01月21日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】半導体装置の製造方法、特にエッチング方法に関し、モリブデン8もしくはモリブデンを含む合金を垂直にエッチングする方法を提供する。【構成】反応ガスとしてフッ素を含むガスと酸素の混合ガスを用い、しかも総流量の50%以上を酸素とすることでレジスト7からの再デポを積極的に行い側壁の保護膜を形成し、垂直エッチングを可能とさせる。【効果】酸素流量を増やすことによってエッチング速度の上昇・均一性の良化という効果を有する。又、側壁に再デポさせることによって保護膜を形成し、横方向へのエッチングを防ぐ。

請求項（抜粋）：

反応室にガスを導入し、ガスをプラズマ化させエッチングを行うドライエッチング装置において、モリブデンもしくはモリブデンを含む合金をエッチングする場合、フッ素を含むガスと酸素との混合ガスを使用すること、特に総流量の50%以上を酸素とすることを特徴とする半導体装置の製造方法。

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