特許

J-GLOBAL ID：200903017603729159

光起電力装置

発明者： 佐野 景一 ,  綾 洋一郎
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 西野 卓嗣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-236618
公開番号（公開出願番号）：特開平7-094768
出願日： 1993年09月22日
公開日（公表日）： 1995年04月07日
要約：

【要約】【目的】 光電変換層内に混入する酸素や窒素の不純物に因る特性の劣化を抑圧する光起電力装置を提供することにある。【構成】 本発明光起電力装置は、pin構造からなる光電変換層(3)を備え、そのi型非晶質半導体層(3i)は、層内に酸素又は及び窒素を1018乃至1021cm-3含有すると共に、該i型非晶質半導体層(3i)と上記p型非晶質半導体層(3p)との界面から、膜厚方向に向かって500Å乃至3000Åの範囲にボロンを0.1乃至100ppmドーピングしたことにある。

請求項（抜粋）：

p型非晶質半導体層とi型非晶質半導体層とn型非晶質半導体層とからなる光電変換層を具備する光起電力装置に於いて、上記i型非晶質半導体層は、層内に酸素を1018乃至1021cm-3含有すると共に、該i型非晶質半導体層と上記p型非晶質半導体層との界面から該i型非晶質半導体層の膜厚方向に向かって、500Å乃至3000Åの範囲にボロンを0.1乃至100ppmドーピングしていることを特徴とする光起電力装置。

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 特開昭61-222278