特許

J-GLOBAL ID：200903017606201309

紫外線処理方法

発明者： 細谷 浩二
出願人/特許権者： 日本電池株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-027127
公開番号（公開出願番号）：特開2000-225337
出願日： 1999年02月04日
公開日（公表日）： 2000年08月15日
要約：

【要約】【課題】 処理時間を短縮できる紫外線処理方法を提供する。【解決手段】 オゾンと紫外線の作用により基板表面の親水化を行う処理において処理室内に酸素ガスを導入して処理を行う紫外線処理方法。

請求項（抜粋）：

オゾンと紫外線の作用により基板表面の親水化を行う処理において処理室内に酸素ガスを導入して処理を行うことを特徴とする紫外線処理方法。

IPC (2件)：

B01J 19/12 ,  H01L 21/304 645

FI (2件)：

B01J 19/12 C ,  H01L 21/304 645 D

Fターム (5件)：

4G075AA30 ,  4G075BA05 ,  4G075CA33 ,  4G075CA57 ,  4G075EB31