特許

J-GLOBAL ID：200903017608124298

ヘテロ接合電界効果トランジスタ

発明者： 杉山 隆啓 ,  中川 敦
出願人/特許権者： 新日本無線株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-087616
公開番号（公開出願番号）：特開2002-289836
出願日： 2001年03月26日
公開日（公表日）： 2002年10月04日
要約：

【要約】【課題】 ノイズ特性が良好で、ゲート耐圧の大きいヘテロ接合電界効果トランジスタを提供する。【解決手段】 GaAs半導体基板上に、バッファ層を介し、バッファ層より伝導帯のポテンシャルエネルギーが低く、GaAsと格子整合するGaInPからなるチャネル層とチャネル層より伝導帯のポテンシャルエネルギーが高いショットキー層と、ゲート電極、ドレイン電極及びソース電極を備えたヘテロ接合電界効果トランジスタであり、ショットキー層が、GaInPまたは(AlGa)0.5In0.5Pのいずれかで形成されている。

請求項（抜粋）：

GaAs半導体基板上に、バッファ層を介し、該バッファ層より伝導帯のポテンシャルエネルギーが低く、GaAsと格子整合する構造のGaInPからなり、ドナー不純物が添加されたチャネル層と、該チャネル層より伝導帯のポテンシャルエネルギーが高い材料からなるショットキー層と、該ショットキー層に接触するゲート電極と、前記チャネル層にキャリアを供給するソース電極及びドレイン電極を備えたヘテロ接合電界効果トランジスタにおいて、前記ショットキー層が、GaInPまたは(AlGa)0.5In0.5Pのいずれかで形成されていることを特徴とするヘテロ接合電界効果トランジスタ。

IPC (3件)：

H01L 29/778 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812

Fターム (16件)：

5F102FA00 ,  5F102FA01 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ05 ,  5F102GK06 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GN05 ,  5F102GR10 ,  5F102GS02 ,  5F102GT03 ,  5F102HC11 ,  5F102HC19 ,  5F102HC21