特許

J-GLOBAL ID：200903017608593913

半導体基板およびその製造方法

発明者： 山内 庄一 ,  松井 正樹
出願人/特許権者： 株式会社デンソー
代理人 (1件)： 佐藤 強
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-268688
公開番号（公開出願番号）：特開平11-111839
出願日： 1997年10月01日
公開日（公表日）： 1999年04月23日
要約：

【要約】【課題】 埋込電極パターンとして加工可能な導電層を設ける構成を簡単にし、且つ、半導体層の膜厚の制御性を高める。【解決手段】 支持基板としての単結晶シリコン基板に、膜形成工程P1〜P3にて、全面に酸化膜,導電層および酸化膜からなる膜構造を形成する。半導体層用基板としての単結晶シリコン基板にイオン注入により剥離用のイオン注入層を所定深さに形成する(P5)。2枚の基板を所定の処理をした後貼り合わせて(P6)、熱処理を行なって剥離し(P7)、支持基板上に膜構造,半導体層を順次積層した構造の半導体基板を形成する。この後、剥離面を研磨し(P8)、素子分離領域毎にトレンチで分離し(P9)、さらにそのトレンチ内に埋込酸化膜を形成して(P10)SOI基板を得る。

請求項（抜粋）：

支持基板(2)と、この支持基板(2)上に絶縁状態で形成された少なくとも1層の導電層(4)と、この導電層(4)上に絶縁状態で形成された素子形成用の半導体層(7)とを備えたことを特徴とする半導体基板。

IPC (3件)：

H01L 21/762 ,  H01L 21/265 ,  H01L 27/12

FI (3件)：

H01L 21/76 D ,  H01L 27/12 B ,  H01L 21/265 Q