特許
J-GLOBAL ID：200903017611383873
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
清水 守 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-009026
公開番号（公開出願番号）：特開平6-224310
出願日： 1993年01月22日
公開日（公表日）： 1994年08月12日
要約：
【要約】【目的】 サイドウォールに薄い絶縁膜を形成した低抵抗のコンタクト構造を有する優れた半導体装置の製造方法を提供する。【構成】 第1の導電性層を有する半導体基板上にコンタクトホールを開口した半導体装置の製造方法において、コンタクトホール25の側壁に第1の導電性層26から絶縁される第2の導電性層23を形成する工程と、コンタクトホール25のサイドウォール30を形成する工程と、サイドウォール30の底部を等方性エッチングによりスリット32を形成する工程と、コンタクトホール25及びスリット32に第3の導電性層33を埋めて、第1の導電性層26とのコンタクトを得る工程とを施すようにしたものである。
請求項（抜粋）：
第1の導電性層を有する半導体基板上にコンタクトホールを開口した半導体装置の製造方法において、(a)コンタクトホールの側壁に第1の導電性層から絶縁される第2の導電性層を形成する工程と、(b)前記コンタクトホールのサイドウォールを形成する工程と、(c)前記サイドウォールの底部を等方性エッチングによりスリットを形成する工程と、(d)前記コンタクトホール及びスリットに第3の導電性層を埋めて、前記第1の導電性層とのコンタクトを得る工程とを施すことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/90
, H01L 21/3205
