特許
J-GLOBAL ID:200903017612164741
半導体製造における材料又は(及び)器具表面の洗浄を三弗化窒素を用いて行なう装置と方法
発明者:
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出願人/特許権者:
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代理人 (1件):
押田 良久
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平6-188911
公開番号(公開出願番号):特開平7-169729
出願日: 1994年07月19日
公開日(公表日): 1995年07月04日
要約:
【要約】【目的】 洗浄副生成物の除去と反応性且つ毒性の副生成物で、化学蒸着装置とこのような装置で処理された材料を使えるようにする時の安全且つ容易な処理ができるものの収集を実施可能にする方法と装置を提供する。【構成】 本発明は熱活性化三弗化窒素で石英製品を動的に洗浄する方法と装置であり、洗浄流出液を安全に除去し、副生成物を洗浄して単離もしくは希釈して有効な洗浄と、そのように洗浄された組立装置の急速再始動させる。
請求項(抜粋):
(a)室に接続され三弗化窒素を前記室に供給して前記室にある材料又は(及び)器具表面を洗浄するガス供給手段と;(b)三弗化窒素の廃棄物と、前記材料又は(及び)器具表面についた好ましくない物質と三弗化窒素から解離した前記三弗化窒素又は(及び)弗素洗浄試薬の反応で形成された揮発性反応生成物との除去用であって前記室に接続された加熱排気導管と;(c)前記加熱排気導管と連絡して前記室を前記導管により排気し、前記廃棄物の処理手段に接続された減圧手段と;からなる半導体製造における材料又は(及び)器具表面を三弗化窒素を用いて洗浄する装置。
IPC (4件):
H01L 21/304 341
, B08B 3/08
, C11D 7/02
, H01L 21/02
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