特許

J-GLOBAL ID：200903017626842629

積層型圧電体素子

発明者： 中谷 宏 ,  浅野 敬史 ,  草野 雄一
出願人/特許権者： 株式会社村田製作所
代理人 (1件)： 西澤 均
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-195516
公開番号（公開出願番号）：特開平7-030165
出願日： 1993年07月12日
公開日（公表日）： 1995年01月31日
要約：

【要約】【目的】 最上層及び最下層の圧電的に不活性な圧電体層と、その他の圧電的に活性な圧電体層の境界部に応力が集中することを緩和して、活性層と不活性層の境界部における応力破壊を防止する。【構成】 複数の圧電体層1と、圧電体層1間に配設された内部電極2a,2bと、内部電極2a,2bと導通する外部電極4a,4bとを備えてなる積層型圧電体素子5の、最上層及び最下層の圧電的に不活性な圧電体層1a,1bの近傍における内部電極12a,13a,12b,13bの重なり面積を、他の圧電的に活性な部分における内部電極2a,2bの重なり面積よりも小さくする。

請求項（抜粋）：

複数の圧電体層と、圧電体層間に配設された内部電極と、内部電極と導通する外部電極とを備えてなる積層型圧電体素子において、最上層及び最下層の圧電的に不活性な圧電体層の近傍における内部電極の重なり面積を、他の圧電的に活性な部分における内部電極の重なり面積よりも小さくしたことを特徴とする積層型圧電体素子。