特許

J-GLOBAL ID：200903017628884175

半導体装置

発明者： 菊地 広 ,  ▲吉▼田 育生 ,  佐藤 俊彦 ,  ▲角▼ 義之
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 秋田 収喜
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-183077
公開番号（公開出願番号）：特開2001-015633
出願日： 1999年06月29日
公開日（公表日）： 2001年01月19日
要約：

【要約】【課題】 配線基板の電極パッドと半導体チップの電極パッドとの間における接続部の接続寿命を長くする。【解決手段】 互いに対向する第1主面及び第2主面と、前記第1主面に形成された第1電極パッドと、前記第2主面に形成され、前記第1電極パッドと電気的に接続された第2電極パッドとを有する配線基板と、第3主面及びこの第3主面に形成された第3電極パッドを有する半導体チップと、前記配線基板の第1電極パッドと前記半導体チップの第3電極パッドとの間に介在された第1バンプと、前記配線基板の第1主面と前記半導体チップの第3主面との間に介在された樹脂と、前記配線基板の第2電極パッド上に形成された第2バンプとを有する半導体装置であって、前記配線基板は、可撓性フィルムからなる基材を主体とする構成になっている。

請求項（抜粋）：

互いに対向する第1主面及び第2主面と、前記第1主面に形成された第1電極パッドと、前記第2主面に形成され、前記第1電極パッドと電気的に接続された第2電極パッドとを有する配線基板と、第3主面及びこの第3主面に形成された第3電極パッドを有する半導体チップと、前記配線基板の第1電極パッドと前記半導体チップの第3電極パッドとの間に介在された第1バンプと、前記配線基板の第1主面と前記半導体チップの第3主面との間に介在された樹脂と、前記配線基板の第2電極パッド上に形成された第2バンプとを有し、前記配線基板は、可撓性フィルムからなる基材を主体とする構成になっていることを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 23/12 ,  H01L 21/60 311 ,  H01L 21/60

FI (3件)：

H01L 23/12 L ,  H01L 21/60 311 S ,  H01L 21/92 604 G

Fターム (3件)：

5F044KK03 ,  5F044LL09 ,  5F044QQ04