特許

J-GLOBAL ID：200903017635765815

金属薄膜の低抵抗化方法

発明者： 前田 圭一
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 田治米 登 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-199960
公開番号（公開出願番号）：特開平5-021387
出願日： 1991年07月14日
公開日（公表日）： 1993年01月29日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】 半導体基板上に形成された金属薄膜の電気抵抗値を低化させるとともに、金属薄膜の表面を平坦化させる。【構成】 基板1上に形成されたタングステン薄膜4等の金属薄膜に対してエキシマレーザー5等でレーザーアニール処理をする。

請求項（抜粋）：

基板上に形成された金属薄膜に対して、レーザーアニール処理をすることを特徴とする金属薄膜の低抵抗化方法。

IPC (3件)：

H01L 21/285 301 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/3205