特許

J-GLOBAL ID：200903017636027656

エレクトレット薄層及びその製造方法

発明者： ヨハネス ハイツ ,  ディーター ボイエルレ ,  ジークフリート バウアー ,  ジモナ バウアー-ゴゴネーア ,  エンノ アレンホルツ ,  ラインハルト シュヴェーディアウアー
出願人/特許権者： イノヴァチオーンスアゲントゥーア ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング ,  ヨハネス ハイツ
代理人 (1件)： 矢野 敏雄 (外3名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-548896
公開番号（公開出願番号）：特表2002-515643
出願日： 1999年05月12日
公開日（公表日）： 2002年05月28日
要約：

【要約】フッ素含有ポリマーからなる200μm未満の層厚さを有するエレクトレット薄層であって、その際フッ素含有ポリマーからなる固体の出発物質から蒸着、スパッタリング、アブレーション、ブローイング又はディスパージョンにより形成された層内に含有されているポリマー鎖の平均鎖長が出発物質内の鎖長の少なくとも半分でありかつ層内に含有されるポリマー鎖の架橋度が出発物質内の架橋度の最大2倍である;このようなエレクトレット薄層を製造するためには、フッ素含有ポリマーからなる層をパルス化したレーザ堆積により基板に施し、その際使用レーザビームの波長は100nm〜20μmでありかつパルス持続時間は10fs〜1msである。

請求項（抜粋）：

フッ素含有ポリマーからなる200μm未満の層厚さを有するエレクトレット薄層において、フッ素含有ポリマーからなる固体の出発物質から蒸着、スパッタリング、アブレーション、ブローイング又はディスパージョンにより形成された層内に含有されているポリマー鎖の平均鎖長が出発物質内の鎖長の少なくとも半分でありかつ層内に含有されるポリマー鎖の架橋度が出発物質内の架橋度の最大2倍であることを特徴とするエレクトレット薄層。

IPC (7件)：

H01G 7/02 ,  C23C 14/12 ,  C23C 14/28 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H04R 19/01 ,  H04R 31/00

FI (6件)：

H01G 7/02 F ,  C23C 14/12 ,  C23C 14/28 ,  H04R 19/01 ,  H04R 31/00 C ,  H01L 27/04 C

Fターム (16件)：

4K029AA06 ,  4K029AA24 ,  4K029BA62 ,  4K029CA01 ,  4K029CA05 ,  4K029DB20 ,  4K029EA01 ,  4K029EA08 ,  5D021CC03 ,  5D021CC20 ,  5F038AC05 ,  5F038AC15 ,  5F038AC18 ,  5F038DF05 ,  5F038EZ14 ,  5F038EZ20