特許
J-GLOBAL ID：200903017639852038
トンネル磁気抵抗効果素子およびその作製方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
金田 暢之 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-310012
公開番号（公開出願番号）：特開2003-115621
出願日： 2001年10月05日
公開日（公表日）： 2003年04月18日
要約：
【要約】【課題】 電流磁界で書き込み可能であるような所望の保磁力を持つトンネル磁気抵抗効果素子を提供する。【解決手段】 垂直磁化膜を持つ強磁性層を重希土類金属と3d遷移金属との合金膜とし、その合成膜の組成を変えて垂直磁気異方性定数Kuと飽和磁化Msの値を適当に調節することにより、電流磁界で書き込み可能であるような所望の保持力を達成する。
請求項（抜粋）：
第1の垂直磁化膜/絶縁層/第2の垂直磁化膜の構造を有するトンネル磁気抵抗効果素子において、前記第1の垂直磁化膜および前記第2の垂直磁化膜が重希土類金属と遷移金属との合金であって、前記第1の垂直磁化膜の保磁力が10[Oe]〜200[Oe]であり、前記第2の垂直磁化膜の保磁力が20[Oe]〜20[kOe]であることを特徴とするトンネル磁気抵抗効果素子。
IPC (3件)：
H01L 43/08
, H01L 27/105
, H01L 43/12
H01L 43/08 Z
, H01L 43/12
, H01L 27/10 447
