特許
J-GLOBAL ID：200903017648377598
炭化珪素単結晶の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
碓氷 裕彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-107273
公開番号（公開出願番号）：特開平10-297997
出願日： 1997年04月24日
公開日（公表日）： 1998年11月10日
要約：
【要約】【課題】 結晶成長時における種結晶の剥がれを抑制して安定した炭化珪素単結晶の製造方法を提供すること低コストで製造すること。【解決手段】シリコンウエハの上に炭化珪素単結晶層13を成長し、この炭化珪素単結晶層13の表面に、同一成長装置内にて連続的にして炭化珪素よりなる補強層14を形成する。その後、珪素単結晶12を除去し、補強層14の表面を結晶成長装置のルツボ蓋材4bに接合することにより炭化珪素単結晶層13が蓋材4bに固定され、この蓋材4bが結晶成長装置に装着される。昇華再結晶法を用い、炭化珪素単結晶層13を種結晶として当該炭化珪素単結晶層13に炭化珪素単結晶18が成長され、補強層14が除去される。
請求項（抜粋）：
珪素単結晶基板(12)上に炭化珪素単結晶層(13)を気相成長装置内で第1の成長速度(R1)で成長させる第1工程と、前記炭化珪素単結晶層(13)の表面上に、前記気相成長装置内で連続的に第1の成長速度(R1)より大きい第2の成長速度(R2)で炭化珪素からなる補強層(14)を成長させる第2工程と、前記珪素単結晶基板(12)を除去し、炭化珪素単結晶層(13)を前記補強層(14)を介して台座(4b)に固定し、この台座(4b)を結晶成長装置(19)に装着する第3工程と、前記炭化珪素単結晶層(13)を種結晶とし、該種結晶に製造しようとする炭化珪素単結晶(18)の原料のガスを供給し、前記気相成長装置内よりも高い温度にて前記炭化珪素単結晶層(13)に炭化珪素単結晶(18)を成長させる第4工程とを備えたことを特徴とする炭化珪素単結晶(18)の製造方法。
IPC (4件)：
C30B 29/36
, C30B 23/00
, H01L 21/205
, H01L 23/14
C30B 29/36 A
, C30B 23/00
, H01L 21/205
, H01L 23/14 S
