特許

J-GLOBAL ID：200903017652645980

パワーモジュール

発明者： 鈴木 清光 ,  山田 一二 ,  阿部 輝宜 ,  近藤 保夫 ,  岡本 和孝 ,  渡部 典行 ,  青野 泰久
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 作田 康夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-372681
公開番号（公開出願番号）：特開2001-189325
出願日： 1999年12月28日
公開日（公表日）： 2001年07月10日
要約：

【要約】【課題】本発明の目的は、低熱膨張,高熱伝導性を有し、加工性に優れたパワーモジュールを提供するにある。【解決手段】通電部材上に搭載された半導体素子及び前記通電部材の一部が樹脂によって封止されているパワーモジュールにおいて、前記通電部材の少なくとも前記素子が搭載される部分が酸化銅を含む銅複合部材よりなることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

通電部材上に搭載された半導体素子及び前記通電部材の一部が樹脂によって封止されているパワーモジュールにおいて、前記通電部材の少なくとも前記素子が搭載される部分が酸化銅を含む銅複合部材よりなることを特徴とするパワーモジュール。

IPC (2件)：

H01L 21/52 ,  H01L 23/29

FI (2件)：

H01L 21/52 B ,  H01L 23/36 A

Fターム (9件)：

5F036AA01 ,  5F036BA23 ,  5F036BB01 ,  5F036BB08 ,  5F036BC06 ,  5F036BE01 ,  5F047AA11 ,  5F047BA05 ,  5F047BA06

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 特開昭54-139475
  
• 特開昭57-059338