厚み計測装置、及びそれを用いたウエットエッチング装置、ウエットエッチング方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：長谷川芳樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-371621
公開番号（公開出願番号）：特開2002-176087
出願日： 2000年12月06日
公開日（公表日）： 2002年06月21日
要約：

【要約】【課題】ウエットエッチングの実行中に半導体ウエハの厚みを計測することが可能な厚み計測装置、及びそれを用いたウエットエッチング装置、ウエットエッチング方法を提供する。【解決手段】各計測時刻において、計測光源11から計測光を供給し、半導体ウエハWからの反射光と、参照光生成部14からの参照光とを結合した干渉光を光検出器15で検出する。そして、厚み算出部16において、干渉光の光強度及び参照光路長の相関を示す光強度分布を求め、光強度分布内における光強度が最大の光強度ピークをウエハ上面ピークとして選択し、さらに、ウエハ下面ピークをも選択して、これらの光強度ピークの光路長差から半導体ウエハWの厚みを算出する。

請求項（抜粋）：

エッチング液を用いたウエットエッチングの実行中に半導体ウエハの厚みを計測するための厚み計測装置であって、所定の計測時刻において、計測光を供給する計測光源と、前記計測光源からの前記計測光を分岐させる光分岐手段と、前記光分岐手段で分岐された前記計測光の一方を、計測対象である前記半導体ウエハに対して出力させて、前記エッチング液が供給されているエッチング面側から照射する光出力手段と、前記光出力手段から照射された前記計測光が前記エッチング液または前記半導体ウエハによって反射された反射光を入力させる光入力手段と、前記光分岐手段で分岐された前記計測光の他方を、光路長が可変に構成された参照用光路を通過させて、参照光路長が設定された参照光を生成する参照光生成手段と、前記光入力手段からの前記反射光と、前記参照光生成手段からの前記参照光とを結合させて干渉光とする光結合手段と、前記光結合手段からの前記干渉光を検出する光検出手段と、前記計測時刻において、前記参照光生成手段で設定された前記参照光路長と、前記光検出手段で検出された前記干渉光の光強度との相関を示す光強度分布を用い、複数の光強度ピークからウエハ上面ピーク及びウエハ下面ピークとして選択された2本の光強度ピーク間での前記参照光路長の光路長差に基づいて、前記半導体ウエハの生厚み値を算出する生厚み値算出手段を有する厚み算出手段とを備え、前記生厚み値算出手段は、前記光強度分布における複数の光強度ピークのうち、光強度が最大である光強度ピークを前記ウエハ上面ピークとして選択することを特徴とする厚み計測装置。

IPC (3件)：

H01L 21/66 , G01B 11/06 , H01L 21/306

FI (3件)：

H01L 21/66 P , G01B 11/06 G , H01L 21/306 U

Fターム (27件)：

2F065AA30 , 2F065CC19 , 2F065FF51 , 2F065GG06 , 2F065JJ18 , 2F065LL00 , 2F065LL02 , 2F065LL13 , 2F065PP13 , 2F065QQ17 , 2F065QQ18 , 2F065QQ29 , 2F065SS03 , 2F065SS13 , 4M106BA04 , 4M106CA48 , 4M106CA57 , 4M106DH03 , 4M106DH11 , 4M106DH12 , 4M106DH40 , 4M106DJ18 , 4M106DJ20 , 5F043DD13 , 5F043DD25 , 5F043EE07 , 5F043EE08

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