特許

J-GLOBAL ID：200903017657834853

半導体基板のオゾン洗浄方法

発明者： 堺谷 ひさし ,  田中 一成
出願人/特許権者： 三菱瓦斯化学株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-226677
公開番号（公開出願番号）：特開平9-074080
出願日： 1995年09月04日
公開日（公表日）： 1997年03月18日
要約：

【要約】【目的】 粗れのない表面を得るオゾンによる洗浄方法。【構成】 半導体基板の裏面を固定して洗浄を行う。【効果】 ガスの流れによる表面粗れを抑える。

請求項（抜粋）：

半導体基板をオゾンを導入しながら洗浄する方法において、半導体基板の裏面を固定して洗浄することを特徴とする洗浄方法。

IPC (2件)：

H01L 21/304 341 ,  H01L 21/304

FI (3件)：

H01L 21/304 341 L ,  H01L 21/304 341 D ,  H01L 21/304 341 M