多層配線基板の製造方法、多層配線基板およびそれを用いた半導体装置

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：宮田金雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-203019
公開番号（公開出願番号）：特開2001-036250
出願日： 1999年07月16日
公開日（公表日）： 2001年02月09日
要約：

【要約】【課題】工程時間の短縮化を図るとともに歩留りおよび信頼性の向上を図ることができる多層配線基板およびその製造方法を提供する。また、安価で信頼性の高い半導体装置を提供する。【解決手段】複数枚の配線基板1を備え、これらの配線基板間が熱硬化性の樹脂組成物を主成分とする樹脂組成物層3で接合されるとともに配線基板相互の配線間がバンプ2で電気的に接続された多層配線基板の製造方法であって、少なくとも2枚の前記配線基板1を、これらの配線基板1間に前記樹脂組成物層3およびバンプ2を介在させて対向配置し、前記バンプの融点以下の温度で前記樹脂組成物層を溶融させた後、前記配線基板の間隔を一定に保持しながら前記バンプの融点以上の温度でバンプを溶融させ、前記配線基板相互を電気的に接続後、前記バンプの融点以下の温度で前記樹脂組成物層を硬化させる。

請求項（抜粋）：

複数枚の配線基板を備え、これらの配線基板間が熱硬化性の樹脂組成物を主成分とする樹脂組成物層で接合されるとともに配線基板相互の配線間がバンプで電気的に接続された多層配線基板の製造方法であって、少なくとも2枚の前記配線基板を、これらの配線基板間に前記樹脂組成物層およびバンプを介在させて対向配置し、前記バンプの融点未満の温度で前記樹脂組成物層を溶融させた後、前記配線基板の間隔を一定に保持しながら前記バンプの融点以上の温度でバンプを溶融させ、前記配線基板相互を電気的に接続後、前記バンプの融点未満の温度で前記樹脂組成物層を硬化させることを特徴とする多層配線基板の製造方法。

IPC (4件)：

H05K 3/46 , C08K 3/00 , C08L 63/00 , H01L 23/12

FI (8件)：

H05K 3/46 N , H05K 3/46 B , H05K 3/46 G , H05K 3/46 S , H05K 3/46 T , C08K 3/00 , C08L 63/00 C , H01L 23/12 N

Fターム (44件)：

4J002CD021 , 4J002CD041 , 4J002CD061 , 4J002CD071 , 4J002CD111 , 4J002CD121 , 4J002CD201 , 4J002DE106 , 4J002DE146 , 4J002DE236 , 4J002DJ006 , 4J002DJ016 , 4J002EB027 , 4J002EE037 , 4J002EH037 , 4J002EL067 , 4J002EP017 , 4J002EV217 , 4J002FD016 , 4J002GJ01 , 4J002GQ01 , 4J002HA05 , 5E346AA12 , 5E346AA15 , 5E346AA22 , 5E346AA32 , 5E346AA35 , 5E346AA43 , 5E346BB01 , 5E346BB16 , 5E346CC08 , 5E346CC09 , 5E346CC40 , 5E346DD03 , 5E346EE02 , 5E346EE06 , 5E346EE08 , 5E346EE43 , 5E346FF24 , 5E346FF27 , 5E346FF36 , 5E346GG28 , 5E346HH07 , 5E346HH33

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