特許

J-GLOBAL ID：200903017659923764

半導体装置

発明者： 永井 紀行
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (4件)： 板垣 孝夫 ,  森本 義弘 ,  笹原 敏司 ,  原田 洋平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-271339
公開番号（公開出願番号）：特開2008-091649
出願日： 2006年10月03日
公開日（公表日）： 2008年04月17日
要約：

【課題】アンダーフィル樹脂の注入性を向上させ、形成されるフィレットをより小さくすることができる半導体装置を提供する。【解決手段】チップ1の周縁部にバンプより小さなチップ側ダミーバンプ4を形成し基板2にフリップチップ実装することにより、ダミーバンプ4と基板2の間の隙間とダミーバンプ4間の間隙が小さくできる。このため、この間隙により発生する毛細管現象で、アンダーフィル樹脂の注入がし易くなり、塗布量を少なくできる。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

半導体素子が基板にフリップチップ実装され、前記半導体素子と前記基板との間が樹脂で封止された半導体装置であって、 前記半導体素子の基板側面に形成された複数の接続用バンプと、 前記半導体素子の基板側面の周縁部に形成された突起部と、 前記基板の半導体素子側面に予め設定された半導体素子搭載領域に形成された、前記接続用バンプと電気的に接続される複数の接続用パッドと、 を備え、前記突起部は、前記基板の半導体素子側面との間で隙間を形成し、その隙間は前記樹脂で埋設されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 21/60 ,  H05K 1/18 ,  H05K 3/28 ,  H01L 21/56

FI (4件)：

H01L21/60 311Q ,  H05K1/18 L ,  H05K3/28 G ,  H01L21/56 E

Fターム (21件)：

5E314AA21 ,  5E314BB06 ,  5E314BB11 ,  5E314CC01 ,  5E314FF01 ,  5E314FF21 ,  5E314GG17 ,  5E336AA04 ,  5E336CC33 ,  5E336CC44 ,  5E336DD22 ,  5E336EE03 ,  5E336GG30 ,  5F044KK16 ,  5F044LL01 ,  5F044QQ01 ,  5F044RR19 ,  5F061AA01 ,  5F061BA04 ,  5F061CA05 ,  5F061GA03

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 特開平1-238148号公報