特許

J-GLOBAL ID：200903017666534706

化学機械的研磨スラリー及びその使用方法

発明者： ステッケン ライダー,ジェイ.スコット ,  ミューラー,ブライアン エル.
出願人/特許権者： キャボット マイクロエレクトロニクス コーポレイション
代理人 (1件)： 石田 敬 (外4名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-557315
公開番号（公開出願番号）：特表2002-525383
出願日： 1999年06月25日
公開日（公表日）： 2002年08月13日
要約：

【要約】少なくとも1種の研磨材及び少なくとも1種のアルコールアミンを含有する、半導体ウェハーのポリシリコン層を研磨するのに有益な水性化学機械的研磨スラリー。このスラリーは好ましくは、pHが約9.0〜約10.5であり、随意に緩衝剤を含有する。

請求項（抜粋）：

少なくとも1種の研磨材、及び 少なくとも1種のアルコールアミン、を含有する、金属又はシリコンの層又は薄いフィルムを有する基材を研磨する水性化学機械的研磨スラリー組成物。

IPC (4件)：

C09K 3/14 550 ,  B24B 37/00 ,  H01L 21/304 621 ,  H01L 21/304 622

FI (4件)：

C09K 3/14 550 Z ,  B24B 37/00 H ,  H01L 21/304 621 D ,  H01L 21/304 622 D

Fターム (5件)：

3C058AA07 ,  3C058CB01 ,  3C058CB03 ,  3C058DA02 ,  3C058DA17