強誘電体デバイスの作製方法、およびそれを用いた強誘電体メモリ、圧電素子、インクジェット式ヘッドおよびインクジェットプリンタ

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：上柳雅誉 , 藤綱英吉 , 須澤修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-258874
公開番号（公開出願番号）：特開2004-096050
出願日： 2002年09月04日
公開日（公表日）： 2004年03月25日
要約：

【課題】高性能な強誘電体薄膜を作製する方法、さらには半導体デバイスとの集積化を可能にする方法を提供し、これらを用いて高性能な強誘電体メモリ、圧電素子、インクジェット式ヘッド、インクジェットプリンタを提供する。【解決手段】強誘電体薄膜4、115、430を形成する工程において、強誘電体薄膜の組成を一定に保持しながら成膜初期過程で成膜速度を遅くして結晶層であるテンプレート6を形成し、その後任意の膜厚になったところで成膜速度を速くして前記結晶層上に同じ結晶層の強誘電体薄膜7を形成する。さらには同様な手法で、バッファー層2、113、203および下部電極層3、114、420を形成する。【選択図】図8

請求項（抜粋）：

基板上にバッファー層を形成する工程と、前記バッファー層上に電極膜を形成する工程と、前記電極膜上に強誘電体薄膜を形成する工程と、前記強誘電体薄膜上に電極膜を形成する工程と、を含む強誘電体デバイスの作製方法であって、前記強誘電体薄膜を形成する工程は、強誘電体薄膜の組成を一定に保持しながら成膜初期過程で前記強誘電体薄膜の結晶層を形成し得る第1の強誘電体薄膜成膜速度で成膜する工程と、その後任意の膜厚になったところで前記第1の強誘電体薄膜成膜速度よりも速い第2の強誘電体薄膜成膜速度で前記結晶層上に前記結晶層と同じ結晶層を形成する工程と、を含むことを特徴とする強誘電体デバイスの作製方法。

IPC (9件)：

H01L41/22 , B41J2/16 , C23C14/28 , H01L21/316 , H01L27/105 , H01L41/08 , H01L41/09 , H01L41/18 , H01L41/24

FI (10件)：

H01L41/22 Z , C23C14/28 , H01L21/316 B , H01L27/10 444Z , H01L41/22 A , H01L41/08 C , H01L41/08 D , H01L41/08 U , H01L41/18 101Z , B41J3/04 103H

Fターム (37件)：

2C057AF93 , 2C057AG44 , 2C057AN01 , 2C057AP02 , 2C057AP14 , 2C057AP23 , 2C057AP34 , 2C057AP52 , 2C057AP54 , 2C057AP56 , 2C057AQ02 , 2C057BA04 , 2C057BA14 , 4K029BA50 , 4K029BB02 , 4K029BC00 , 4K029BD04 , 4K029DB20 , 4K029EA02 , 5F058BA20 , 5F058BC03 , 5F058BC04 , 5F058BC20 , 5F058BF80 , 5F058BJ01 , 5F083FR10 , 5F083GA29 , 5F083HA02 , 5F083JA02 , 5F083JA14 , 5F083JA15 , 5F083JA17 , 5F083JA36 , 5F083JA38 , 5F083JA42 , 5F083PR22 , 5F083PR25

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