特許

J-GLOBAL ID：200903017671232629

半導体素子

発明者： 千代 敏明 ,  柴田 直樹 ,  伊藤 潤 ,  野杁 静代
出願人/特許権者： 豊田合成株式会社
代理人 (1件)： 小西 富雅
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-031982
公開番号（公開出願番号）：特開平11-176758
出願日： 1998年01月28日
公開日（公表日）： 1999年07月02日
要約：

【要約】【課題】 シリコン製の基板の上にGaN系の半導体層が容易に形成できる新規な構成の半導体発光素子を提供する。【解決手段】 シリコン製の基板とGaN系の半導体層との間にTi製の第1のバッファ層及びZr製の第2のバッファ層を設ける。これらバッファ層は所定の膜厚を持ち、所定の温度に昇温されたシリコン基板の(111)面に形成され、後にアニールされる。

請求項（抜粋）：

シリコン製の基板と、GaN系の半導体層と、前記基板と前記半導体層との間に設けられるバッファ層であって、該バッファ層は前記基板の上に形成されるTi製の第1のバッファ層と、該第1のバッファ層の上に形成されるZr製の第2のバッファ層とからなるバッファ層と、を備えてなる半導体素子。

IPC (3件)：

H01L 21/205 ,  H01L 21/20 ,  H01L 33/00

FI (3件)：

H01L 21/205 ,  H01L 21/20 ,  H01L 33/00 C