特許
J-GLOBAL ID:200903017672587749
配線基板およびその実装構造
発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平9-164346
公開番号(公開出願番号):特開平11-012029
出願日: 1997年06月20日
公開日(公表日): 1999年01月19日
要約:
【要約】【課題】1000°C以下で焼成可能で、高周波領域において低誘電率、低誘電損失、且つ高熱膨張係数を有し、プリント基板などの外部電気回路基板に対して、高信頼性をもって実装可能な配線基板とその実装構造を提供する。【解決手段】絶縁基板1の表面あるいは内部に、配線層5が配設され、且つ外部電気回路基板Bへの接続端子8を具備する配線基板を、有機樹脂を含有する絶縁基板9表面に配線導体10が形成された外部電気回路基板Bに載置して、接続端子8を配線導体10に対してロウ付け実装するにあたり、配線基板Aの絶縁基板1を、Si、Al、MgおよびZnを構成元素として含み、クオーツなどのSiO2 を主体とする第1の結晶相と、ガーナイトなどの少なくともZnOとAl2O3 とを主体とする第2の結晶相を主結晶相として含有し、且つ室温から400°Cにおける熱膨張係数が7ppm/°C以上の複合酸化物焼結体により構成する。
請求項(抜粋):
絶縁基板の表面あるいは内部に、配線層が配設されてなる配線基板において、前記絶縁基板が、Si、Al、MgおよびZnを構成元素として含む複合酸化物焼結体からなり、SiO2 を主体とする第1の結晶相と、少なくともZnOとAl2 O3 とを主体とする第2の結晶相と、を主結晶相として含有し、且つ室温から400°Cにおける熱膨張係数が7ppm/°C以上であることを特徴とする配線基板。
IPC (4件):
C04B 35/16
, H01L 23/15
, H05K 1/03 610
, H05K 3/46
FI (4件):
C04B 35/16 Z
, H05K 1/03 610 D
, H05K 3/46 T
, H01L 23/14 C
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