特許
J-GLOBAL ID：200903017672830260
超高真空中における潤滑方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
須田 正義
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-244979
公開番号（公開出願番号）：特開2000-074293
出願日： 1998年08月31日
公開日（公表日）： 2000年03月14日
要約：
【要約】【課題】 超高真空中において摩擦時の潤滑用薄膜の塑性流動を抑えて0.01以下の低摩擦係数を得る。【解決手段】 超高真空中において1nm以下の平均表面粗さを有するシリコン基板16の表面に形成された0.26〜100nmの平均厚さを有するAg薄膜15の上に球面をなすピン先端が1〜20mmの曲率半径と10nm以下の平均表面粗さを有するダイヤモンドピン20を125〜500mNの荷重fを加えて配置し、このピン20を0.01〜0.1mm/秒の速度でAg薄膜15上を摺動する。
請求項（抜粋）：
超高真空中において1nm以下の平均表面粗さを有するシリコン基板(16)の表面に形成された0.26〜100nmの平均厚さを有するAg薄膜(15)の上に球面をなすピン先端が1〜20mmの曲率半径と10nm以下の平均表面粗さを有するダイヤモンドピン(20)を125〜500mNの荷重を加えて配置し、前記ピン(20)を0.01〜0.1mm/秒の速度で前記Ag薄膜(15)上を摺動することを特徴とする超高真空中における潤滑方法。
引用特許：
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