特許
J-GLOBAL ID：200903017681570077
エレクトロルミネッセンス素子の製造方法及び製造装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
恩田 博宣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-028448
公開番号（公開出願番号）：特開平8-017575
出願日： 1995年02月16日
公開日（公表日）： 1996年01月19日
要約：
【要約】【目的】 高輝度青色発光が得られる品質の高い発光層を有するエレクトロルミネッセンス(EL)素子を製造する。【構成】 ガラス基板11上に第1電極12、第1絶縁層13、発光層14、第2絶縁層15、及び第2電極16を、少なくとも光取り出し側の材料を光学的に透明なものにて形成して順次積層する。発光層14についてはこれを、発光層母体材料となるII族元素原料ガス、VI族元素原料ガス及び発光中心原料ガスを反応炉内に供給し、該反応炉内でこれら原料ガスを反応させる気相成長法を用いて成膜する。その際、これら各原料ガスは、各別のガス供給管によって反応炉内に導入する。これら各ガス供給管は、II族元素原料ガス供給用のものを中心に、その周囲に発光中心原料ガス供給用のものを、更にその周囲にVI族元素原料ガス供給用のものを配設する。
請求項（抜粋）：
絶縁基板の上方に発光層を具えるエレクトロルミネッセンス素子の製造方法において、発光層母体材料となるII族元素原料ガス、VI族元素原料ガス及び発光中心元素原料ガスをそれぞれ反応炉内に供給し、該反応炉内でこれら原料ガスを反応させる気相成長法を用いて前記発光層を形成するに、前記II族元素原料ガスを前記反応炉の中央から供給し、前記VI族元素原料ガスをその周囲から供給することを特徴とするエレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
IPC (3件)：
H05B 33/10
, G09F 9/30 365
, H05B 33/14
