特許
J-GLOBAL ID：200903017683210507
金属ベース基板とその金属ベース基板に用いるワニスの製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
若林 邦彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-156855
公開番号（公開出願番号）：特開平8-023146
出願日： 1994年07月08日
公開日（公表日）： 1996年01月23日
要約：
【要約】【目的】高温高湿下での絶縁特性に優れ、吸湿時の腐食防止に優れたワニスの製造法と、そのワニスを用いた金属ベース基板を提供すること。【構成】エポキシ樹脂、あるいはマレイミド樹脂を用いたワニス中にイオン吸着無機物質または無機イオン交換体を加え、攪拌、混合し、さらに必要に応じてこれらを一部もしくはほぼ全部を濾過し、樹脂中のイオン性不純物を除去するワニスの製造法と、銅箔1と絶縁層2と金属板3からなる金属ベース基板において、絶縁層のイオン性不純物である塩素イオンの量が1ppm以下であり、かつ、ナトリウムイオンの量が1ppm以下である金属ベース基板。
請求項（抜粋）：
銅箔1と絶縁層2と金属板3からなる金属ベース基板において、絶縁層のイオン性不純物である遊離塩素イオンの量が1ppm以下であり、かつ遊離ナトリウムイオンの量が1ppm以下であることを特徴とする金属ベース基板。
IPC (3件)：
H05K 1/05
, C09D 5/25 PQY
, H05K 1/03
