特許
J-GLOBAL ID：200903017687313912
薄膜コンデンサ及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
菅野 中
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-042011
公開番号（公開出願番号）：特開平5-218299
出願日： 1992年01月31日
公開日（公表日）： 1993年08月27日
要約：
【要約】【目的】 下部電極として2層の2層構造を用い、第2層の膜厚分の段差をなくし、誘電体膜をよりステップカバレージよく堆積できるようにする。【構成】 シリコン基板1上に、絶縁層2を積層する。絶縁層2にはシリコン基板1との導通を取るためにコンタクトホール3が開けられており、コンタクトホール3内は、タングステンまたはポリシリコン4が埋め込まれている。コンタクトホール3上には、下部電極として導電性のタンタル酸化物5、他の部分には絶縁物のTa2O56よりなる第1層、導電層のタンタル酸化物5上にはPt7よりなる第2層が形成されている。下部電極上には、誘電体8、その上に上部電極のAl膜9を積層したものである。下部電極の第1層は、エッチングしなくてもすみ、段差が小さくなる。
請求項（抜粋）：
シリコン基板上に絶縁層が形成され、絶縁層内にシリコン基板との導通をとるコンタクトホールが開口され、コンタクトホール内にタングステンあるいはポリシリコンが埋め込まれ、下部電極,誘電体膜及び上部電極を絶縁層上に順次積層した構造の薄膜キャパシタであって、誘電体は、BaTiO3,SrTiO3,PbTiO3,PbZrO3から選ばれた一つ、あるいはこれらの固溶体からなり、誘電体を直接成膜する下部電極は、絶縁膜上に形成される第1層と、その上の一部分に積層された白金からなる第2層とから構成され、上部に第2層が積層されていない第1層の部分は、Ta2O5であり、上部に第2層が積層されている第1層の部分は、O/Taが2.0以下の酸素が化学量論組成から不足している導電性のタンタル酸化物であることを特徴とする薄膜コンデンサ。
IPC (3件)：
H01L 27/04
, H01L 21/90
, H01L 29/46
