特許

J-GLOBAL ID：200903017689227177

化合物半導体受光装置

発明者： 松岡 康信 ,  田中 滋久 ,  宍倉 正人 ,  中村 均 ,  辻 伸二
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 磯村 雅俊
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-002417
公開番号（公開出願番号）：特開平9-191123
出願日： 1996年01月10日
公開日（公表日）： 1997年07月22日
要約：

【要約】【課題】 化合物半導体結晶表面に形成する絶縁膜の被着に伴う素子特性の劣化を極力小さく抑えることが可能な構造の保護膜を有する化合物半導体受光装置を提供すること。【解決手段】 pn接合が表面に露出した化合物半導体結晶表面に、Al2O3薄膜もしくはAlOx(x=1〜1.5)薄膜からなる第1の絶縁膜5を形成し、その上にポリイミド樹脂等の第2の絶縁膜3を被着させる。また、受光素子(図中1および17は電極,7はn型InP基板,13はアンドープInAlAs/InGaAs超格子層,11はp型InAlAs層,9はp型InGaAs層)をメサ型構造にしている。

請求項（抜粋）：

少なくとも1つのpn接合を有する化合物半導体受光装置において、該化合物半導体受光装置を構成する化合物半導体受光素子の結晶表面を、少なくとも、AlOxまたはAl2O3からなる第1の絶縁膜と、該第1の絶縁膜と異なる第2の絶縁膜とからなる多層の絶縁膜で被覆したことを特徴する化合物半導体受光装置。

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 導波路構造半導体受光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-264199   出願人：日本電気株式会社
• 化合物半導体素子の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-229165   出願人：株式会社東芝
• 特開平2-260586
  
• 特開昭64-019787