特許
J-GLOBAL ID：200903017716764090
圧電/電歪膜型素子及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
中島 三千雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-342414
公開番号（公開出願番号）：特開平9-186372
出願日： 1995年12月28日
公開日（公表日）： 1997年07月15日
要約：
【要約】【課題】 圧電/電歪特性や共振周波数特性の均一性と変位特性を向上せしめた圧電/電歪膜型素子を有利に得る方法、及びそれによって得られる圧電/電歪膜型素子の提供。【解決手段】 空所たる窓部6を覆蓋するように、薄肉のダイヤフラム部10を一体に設けてなるジルコニア基体2と、該ダイヤフラム部10の外面上に膜形成法によって層状に順次設けた、下部電極12、圧電/電歪層14及び上部電極16より構成される膜状の圧電/電歪作動部18とを備えた圧電/電歪膜型素子において、該圧電/電歪層14の少なくとも一部の周縁部を、下記電極12の対応する周縁部よりも側方に延び出させて、前記ダイヤフラム部10上に対向位置するオーバーハング部14aを構成すると共に、該オーバーハング部14aを、スピネル粒子の如きアルミナ・マグネシア化合物粒子の介在にて、その直下のダイヤフラム部位10に対して、不完全結合の状態とした。
請求項（抜粋）：
少なくとも一つの空所を有すると共に、該空所を覆蓋するように、薄肉のダイヤフラム部を一体に設けてなるジルコニア基体と、該ダイヤフラム部の外面上に膜形成法によって層状に順次設けた下部電極、圧電/電歪層及び上部電極より構成される膜状の圧電/電歪作動部とを備えた圧電/電歪膜型素子にして、前記圧電/電歪層の少なくとも一部の周縁部が、前記下部電極の対応する周縁部よりも側方に延び出して、前記ダイヤフラム部上に対向位置するオーバーハング部を構成していると共に、該オーバーハング部が、それとその直下のダイヤフラム部位との間に、アルミナとマグネシアとの化合物を主体とする粒子が介在せしめられることによって、かかる直下のダイヤフラム部位に対して、不完全結合状態とされていることを特徴とする圧電/電歪膜型素子。
IPC (3件)：
H01L 41/09
, H01L 41/22
, H04R 17/00
H01L 41/08 C
, H04R 17/00
, H01L 41/22 Z
