特許

J-GLOBAL ID：200903017717390640

半導体装置およびその製造方法

発明者： 伏見 浩 ,  和田 一実
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社
代理人 (1件)： 山川 政樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-082373
公開番号（公開出願番号）：特開平8-279464
出願日： 1995年04月07日
公開日（公表日）： 1996年10月22日
要約：

【要約】【目的】 低電圧側での電流リークの経時変化にともなう増大を抑制することを目的とする。【構成】 コレクタ層としてのn形化合物半導体結晶層と、炭素をp形不純物として導入したベース層としてのp形化合物半導体結晶層と、エミッタ層としてのn形化合物半導体結晶層とが、それぞれエピタキシャル成長法によって形成され、各化合物半導体結晶層においては、測定限界(5×1018cm-3)以下の水素原子しか有していない。このように、水素の含有量が測定限界以下となっている状態(b)では、動作時間Tの後においても、リーク電流は増加していない。

請求項（抜粋）：

結晶成長により形成され、水素が除去されたn形化合物半導体結晶層と、前記n形化合物半導体結晶層に連接して形成された炭素をp形不純物として導入しているp形化合物半導体結晶層とを有することを特徴とする半導体装置。

IPC (6件)：

H01L 21/205 ,  H01L 29/861 ,  H01L 21/329 ,  H01L 29/205 ,  H01L 21/331 ,  H01L 29/73

FI (5件)：

H01L 21/205 ,  H01L 29/91 F ,  H01L 29/91 A ,  H01L 29/205 ,  H01L 29/72