特許

J-GLOBAL ID：200903017718806440

高分子固体電解質の製造法、高分子固体電解質及びこれを用いた電気化学的デバイス

発明者： 天野倉 仁
出願人/特許権者： 日立化成工業株式会社
代理人 (1件)： 若林 邦彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-141396
公開番号（公開出願番号）：特開2000-331713
出願日： 1999年05月21日
公開日（公表日）： 2000年11月30日
要約：

【要約】【課題】 イオン伝導性が極めて高く、強靭性が極めて優れる高分子固体電解質の製造法、イオン伝導性が極めて高く、強靭性が極めて優れる高分子固体電解質及び酸化還元性、充放電特性、電気容量の温度依存性及び負荷特性が良好で、かつ信頼性及び安全性が優れ、薄膜化、積層形成、パッケージの簡略化及び軽量化が可能な電気化学的デバイスを提供する。【解決手段】 分子内に少なくとも2つのスルホン酸基を有するスルホン酸化合物、その誘導体又はそのハライド化合物と分子内に少なくとも2つのアミノ基を有するアミノ化合物とを反応させることを特徴とする高分子固体電解質の製造法、この高分子固体電解質の製造法により製造された高分子固体電解質及びこの高分子固体電解質を用いた電気化学的デバイス。

請求項（抜粋）：

分子内に少なくとも2つのスルホン酸基を有するスルホン酸化合物、その誘導体又はそのハライド化合物と分子内に少なくとも2つのアミノ基を有するアミノ化合物とを反応させることを特徴とする高分子固体電解質の製造法。

IPC (6件)：

H01M 10/40 ,  C08G 75/30 ,  C08K 3/00 ,  C08L 81/10 ,  H01B 1/06 ,  H01B 13/00

FI (6件)：

H01M 10/40 B ,  C08G 75/30 ,  C08K 3/00 ,  C08L 81/10 ,  H01B 1/06 A ,  H01B 13/00 Z

Fターム (35件)：

4J002CN051 ,  4J002DD016 ,  4J002DD036 ,  4J002DE196 ,  4J002DF026 ,  4J002DG046 ,  4J002DH046 ,  4J002DK006 ,  4J002EF036 ,  4J002EV216 ,  4J002EV226 ,  4J002EV236 ,  4J002EZ006 ,  4J002FD206 ,  4J030BA22 ,  4J030BB10 ,  4J030BB71 ,  4J030BC21 ,  4J030BD22 ,  5G301CA30 ,  5G301CD01 ,  5G301CE10 ,  5H029AJ11 ,  5H029AJ12 ,  5H029AK03 ,  5H029AL03 ,  5H029AL06 ,  5H029AL12 ,  5H029AM00 ,  5H029AM07 ,  5H029AM16 ,  5H029BJ04 ,  5H029CJ11 ,  5H029DJ09 ,  5H029EJ13